TBHPF1高通滤波器 150K-3G
LISN射频输出处的残余50 Hz电压：
LISN的DUT端子上存在全交流电源电压。RF耦合电容器和1K电阻器形成分压器，分压器确定RF连接器处50Hz电压的幅度。
TBHPF1高通滤波器 150K-3G 考虑0.1μF电容器，其在50 Hz时的阻抗为32K。与1K电阻器一起，在没有任何负载的情况下，LISN的RF端子处产生的50Hz电压约为6.6V。假设50欧姆负载与1K电阻器并联，剩余50 Hz电压将变得可忽略不计。
一些LISN可能需要使用更高的值，以满足较低频率下的阻抗规范。假设电容器为0.5μF，LISN射频端的残余50Hz电压将高达31V。如果存在与1K电阻器并联的50欧姆负载，则这仍然会降低到可忽略的值。
然而，低成本分析仪不太可能在50Hz时具有50欧姆的输入阻抗。通常，对于低于9kHz的频率，不输入阻抗。此外，如前所述，低成本分析仪在RF输入端使用GaAs开关，这在低频率下是固有的。
因此，在频谱分析仪或测量接收器的RF输入处放置9 kHz高通滤波器或150 kHz高通滤波器将提供对50 Hz残余电压的良好保护。由于其在通带中的插入损耗非常低，因此不会减小测量的动态范围。
技术指标：
n 50欧姆反射式高通滤波器
n 3dB带宽：150KHz – 3GHz
n 最大输入电压：100V , 250V@持续时间＜5s
n 频率小于150KHz和开路输出时最大允许输入电流：650 mA
n 最大输入功率：10W @ 300KHz – 3GHz
n 接口：N型
n 尺寸：26×26×82 mm
n 重量：约100 g
